高纯氨在半导体工艺中的应用与质量要求

高纯氨在半导体制造领域用途广泛，常用于氮化工艺，能够制备氮化硅保护层、多晶硅氮化层以及氮氧化硅绝缘层等材料。对于GaN基发光二极管和电力器件的外延沉积过程，氨气作为MOCVD技术中的关键反应物，同样扮演着必不可少的角色。

在化学气相沉积环节，氨与硅化合物例如硅烷相遇，会形成氮化硅层，具体产物为Si₃N₄薄膜，

3SiH4+4NH3→Si3N4+12H23SiH4+4NH3→Si3N4+12H2

薄膜的紧密程度、电介质属性以及抗受力能力，都和氨气的纯净度紧密相关，几乎成正比关系。极微量的氧气、水分或金属成分，就可能造成瑕疵，进而使得膜体出现漏洞，或者发生层间分离，又或者让电气方面的表现变差。

所以，GB/T 14601—2009对电子级和光电子级氨规定了严苛的杂质限制标准。除了普通的气体杂质，尤其重视金属离子，包括钠、钾、锂、铜、铁等，因为它们在高温工艺时容易扩散到硅晶体内，会导致器件漏电现象加剧，从而降低其使用寿命。

总而言之，高纯氨既是工业气体，也是影响半导体元件品质与合格度的核心物质。制造厂商必须对原料选取、合成过程、提纯环节以及包装等所有步骤进行严格管控，保证产品满足国家规范要求，从而推动先进制造业的进步。